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v 產品概述：系統主要由真空室、旋轉靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成
v 設備用途：是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移，及最后物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD非常適合生長多元氧化物的多層膜和異質膜，輕松實現對化學成分較復雜的復合物材料進行材料生長。在生長過程中還可以實現引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體，以提高薄膜生長品質
v 基片尺寸：8inch（可向下兼容）
v 加熱溫度：1000℃ 加熱方式：輻射加熱
v 靶材：3*4"
v 真空度：5*10-7Pa
v 氣路系統：氧氣、氮氣、氬氣
v 模塊：PLD+進樣室
v 激光窗口：配有閘板閥
v 光路系統：激光掃描功能
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高速精密切割機
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